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IC封裝制程包括封膠、剪切、成形等加工步驟,在不同加工程序中,模具所面臨的問題及改善對策不同。在剪切模具方面,由于細間距、高精度模具所采用材料為超硬合金,切腳磨損及斷裂為其主要問題〔1〕。小于1mm細間距模具,因形狀限制,一般表面被覆處理無法均勻而有效提供保護功能,因此正確材料選用、加工品質控制及調質處理是目前對策。

在成形模具方面,其主要功用是將經剪切加工后之鍍錫或鍍銀導線架,彎曲成必要之形狀。在成形過程中,鍍錫導線架與模具表面會產生劇烈金屬塑性成形反應。相對于鋼制模材之高硬度,導線架表面之錫料極易移轉而附著于模具表面,造成后續加工因錫料堆積而產生尺寸變異。已往改善方案采取表面研磨、拋光或電鍍硬鉻方式,但效果有限。要降低錫料的沾附現象,應減少成形過程中摩擦力的作用,因此

如何選擇低摩擦系數材料,是改善沾錫問題之關鍵。

在封膠模具方面,其主要功用是將環氧樹脂在模具內成形,把導線架上之芯片包覆,以防止濕氣侵入及外力破壞。由于環氧樹脂材料由二氧化硅、樹脂、硬化劑及催化劑組成。在高壓

 
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